Содержание: 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 |2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004 | 2003 | 2002 | 2001

2003, 7

A. Халлоче, Х. Аураг

Влияние температуры на работу силового устройства

язык: английский

получена 06.10.2002, опубликована 04.03.2003

Скачать статью (PDF, 200 кб, ZIP), используйте команду браузера "Сохранить объект как..."
Для чтения и распечатки статьи используйте «Adobe Acrobat© Reader» версии 4.0 или выше. Эта программа является бесплатной, ее можно получить на веб-сайте компании Adobe© (http://www.adobe.com/).

АННОТАЦИЯ

Работа тиристора ограничена максимальной предельной температурой. Она может достигать 125°C. Техническое описание каждого типа тиристоров включает рабочий диапазон температур, например, от –55°C до 125°C.
Электрическая энергия рассеивается в тиристоре при любом направлении тока, что проявляется в виде тепловой энергии через область перехода. Теряемая мощность в кристалле связана с увеличением температуры в области перехода.
Фактически эта мощность мала по сравнению с мощностью в контуре. Но не следует забывать, что окружающая температура представляет тот энергетический уровень, от которого происходит увеличение температуры перехода. Окружающая температура на промышленных объектах может достигать повышенных значений, например, она часто составляет 50-60°C

8 страниц, 7 иллюстраций

Как сослаться на статью: A. Халлоче, Х. Аураг. Влияние температуры на работу силового устройства. Электронный журнал "Техническая акустика", http://ejta.org, 2003, 7.

ЛИТЕРАТУРА

1. Nigel Cousteard, Robert Pezzani. Understanding the gate assisted turn-off of an interdigited ultra-fast asymmetrical power thyristor. THOMSON-CSF, Paris, 1981.
2. Philipe Le Turcq. Physique des composants actifs a semiconducteurs, 1978.
3. S. M. Sze. Physics semiconductor devices. John Willey & Sons, New York, 1981.
4. Sorab K. Ghandi. Semiconductor power devices. John Willey & Sons, New York, 1977.
5. Pearson & Sen. Designing optimum snubber circuits for the transistor bridge configuration. Power Converter, 1982.
6. Harris Semiconductor, Parallel operation of semiconductor switches, 1998.
7. Jurie Decter, Nigel Machin and Robert Sheehy. Rectifier technology pacific, Australia, 2000.
8. R. V. Honorat. Thyristors, Triacs et GTO. Edition Radio, Paris, 1987.


 

Абдехамид Халлоче с отличием окончил университет науки и технологии в г. Оран (Алжир) по специальности электротехника. Диссертацию защитил в университете г. Сиди-Бель-Аббес (Алжир). С 1982 года занимается исследованиями в области материаловедения на кафедре электротехники университета Сиди-Бель-Аббес.

e-mail: hall_hamid(at)yahoo.fr

 
 

Хафид Аураг – профессор физики в университете г. Сиди-Бель-Аббес (Алжир). Занимается расчетами в материаловедении.